Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), полученных путем высокотемпературной диффузии хрома в пластины арсенида галлия электрон...
| Опубликовано в: : | Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 19-21 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148680 |
| Итог: | В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), полученных путем высокотемпературной диффузии хрома в пластины арсенида галлия электронного типа проводимости (n-GaAs). Продемонстрировано, что неоднородность распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда определяется, в частности, неоднородностью распределения донорной примеси в пластинах n-GaAs. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 6 назв. |
| ISBN: | 9785936297168 |