Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом - Косухин, Константин Михайлович (Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов)
В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), полученных путем высокотемпературной диффузии хрома в пластины арсенида галлия электронного типа проводимости (n-GaAs). Продемонстрировано, что неоднородность распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда определяется, в частности, неоднородностью распределения донорной примеси в пластинах n-GaAs.