Моделирование распределения электрофизических параметров по пластине арсенида галлия, компенсированного хромом
В работе представлены результаты расчета и экспериментальных исследований распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда в пластинах арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), полученных путем высокотемпературной диффузии хрома в пластины арсенида галлия электрон...
| Published in: | Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 19-21 |
|---|---|
| Main Author: | Косухин, Константин Михайлович |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148680 |
Similar Items
-
Моделирование эффективности сбора заряда и отношения сигнал/шум сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом
by: Голубев, Михаил Сергеевич -
Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна -
Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
by: Щербаков, Иван Дмитриевич - Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers
- Исследование электрофизических свойств пленок ITO
