Энергетическая зонная структура кристаллов Be–(C, Si, Ge, Sn)–N2
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 5. С. 140-146 |
|---|---|
| Главный автор: | Басалаев, Александр Геннадьевич |
| Другие авторы: | Гордиенок, Наталья Ивановна |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001148788 |
Похожие документы
-
Особенности электронного строения кристаллов Ga2AsSb
по: Басалаев, Юрий Михайлович -
Моделирование электронной структуры кристалла Cu2BrCl с решеткой антихалькопирита
по: Басалаев, Юрий Михайлович - Моделирование структуры и фононных спектров гипотетических кристаллов BeXAS2 (X = Si, Ge, Sn)
-
Энергетические спектры электронов некоторых тройных соединений со структурой фаматинита и халькопирита диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Ратнер, Аркадий Моисеевич
Публикация: (1977) -
Структура энергетических зон некоторых полупроводников типа AIIBIVCV2 и AIВIIICVI2 с решеткой халькопирита диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Полыгалов, Юрий Иванович
Публикация: (1971)
