Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)
В работе представлено исследование особенностей характера осцилляций интенсивности картин дифракции быстрых отраженных электронов в направлении [110] при эпитаксиальном росте Si на Si(100), а также интенсивности рефлексов от сверхструктур 1х2 и 2х1 в направлении [100] при разных температурах синтеза...
| Published in: | Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 64-65 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149161 |
| Summary: | В работе представлено исследование особенностей характера осцилляций интенсивности картин дифракции быстрых отраженных электронов в направлении [110] при эпитаксиальном росте Si на Si(100), а также интенсивности рефлексов от сверхструктур 1х2 и 2х1 в направлении [100] при разных температурах синтеза (200–800 °С). |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 5 назв. |
| ISBN: | 9785936297168 |