Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100) - Ворсин, Олег Игоревич; Дюков, Илья Юрьевич; Гнеушев, Анатолий Владимирович; Кукенов, Олжас Игоревич (Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов)
В работе представлено исследование особенностей характера осцилляций интенсивности картин дифракции быстрых отраженных электронов в направлении [110] при эпитаксиальном росте Si на Si(100), а также интенсивности рефлексов от сверхструктур 1х2 и 2х1 в направлении [100] при разных температурах синтеза (200–800 °С).