Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)
В работе представлено исследование особенностей характера осцилляций интенсивности картин дифракции быстрых отраженных электронов в направлении [110] при эпитаксиальном росте Si на Si(100), а также интенсивности рефлексов от сверхструктур 1х2 и 2х1 в направлении [100] при разных температурах синтеза...
| Опубликовано в: : | Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 64-65 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149161 |