Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

Картины дифракции структур 1x2 и 2x1 при эпитаксии Si на Si(100)

В работе представлено исследование особенностей характера осцилляций интенсивности картин дифракции быстрых отраженных электронов в направлении [110] при эпитаксиальном росте Si на Si(100), а также интенсивности рефлексов от сверхструктур 1х2 и 2х1 в направлении [100] при разных температурах синтеза...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 64-65
Другие авторы:	Ворсин, Олег Игоревич, Дюков, Илья Юрьевич, Гнеушев, Анатолий Владимирович, Кукенов, Олжас Игоревич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	молекулярно-лучевая эпитаксия сверхструктуры дифракция быстрых электронов эпитаксиальные слои кремния статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149161

Похожие документы

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
по: Остертак, Д. И.

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
по: Dyukov, I. Y.

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
по: Торопов, Никита Александрович

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
по: Заяханов, Владимир Александрович

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
по: Дирко, Владимир Владиславович

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Публикация: (2023)

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
по: Sokolov, А. S.

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Кравцова, Наталья Сергеевна

Методы контроля скорости напыления кремния и германия при МЛЭ
по: Дирко, Владимир Владиславович

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film
по: Novikov, Vadim A.

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers
по: Nikiforov, Alexander I.

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
по: Серохвостов, Вячеслав Юрьевич

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems
по: Lozovoy, Kirill A.

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Вентильный источник фосфора для молекулярно-лучевой эпитаксии на основе термического разложения InP: конструкция, характеристики, применение

Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Латтеган, А. Г.

Influence of the preliminary annealing conditions on step motion at the homoepitaxy on the Si(100) surface

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Хамзин, Т. Х.

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)