Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
В докладе представлены результаты теоретических расчетов характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой при изменении концентрации легирования и толщины эпитаксиального слоя AlGaN. Полученные результаты демонстрируют возможности применения программы Silvaco TCAD ATLAS при разработке конс...
| Опубликовано в: : | Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 77-80 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149168 |
| Итог: | В докладе представлены результаты теоретических расчетов характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой при изменении концентрации легирования и толщины эпитаксиального слоя AlGaN. Полученные результаты демонстрируют возможности применения программы Silvaco TCAD ATLAS при разработке конструкций оптикоэлектронных приборов. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 3 назв. |
| ISBN: | 9785936297168 |