Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой

В докладе представлены результаты теоретических расчетов характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой при изменении концентрации легирования и толщины эпитаксиального слоя AlGaN. Полученные результаты демонстрируют возможности применения программы Silvaco TCAD ATLAS при разработке конс...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 77-80
Main Author: Шабанов, Генрих Александрович
Other Authors: Катренко, Владислав Дмитриевич
Format: Book Chapter
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149168
LEADER 02025naa a2200301 c 4500
001 koha001149168
005 20241212180252.0
007 cr |
008 241210s2024 ru fs 100 0 rus d
035 |a koha001149168 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Шабанов, Генрих Александрович 
245 1 0 |a Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой  |c Г. А. Шабанов, В. Д. Катренко 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 3 назв. 
520 3 |a В докладе представлены результаты теоретических расчетов характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой при изменении концентрации легирования и толщины эпитаксиального слоя AlGaN. Полученные результаты демонстрируют возможности применения программы Silvaco TCAD ATLAS при разработке конструкций оптикоэлектронных приборов. 
653 |a светодиоды 
653 |a квантовые ямы 
653 |a легирование 
653 |a экспериментальные исследования 
655 4 |a статьи в сборниках 
700 1 |a Катренко, Владислав Дмитриевич 
773 0 |t Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов  |d Томск, 2024  |g С. 77-80  |z 9785936297168  |w koha001147414 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149168 
908 |a статья 
999 |c 1149168  |d 1149168