Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой - Шабанов, Генрих Александрович (Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов)
В докладе представлены результаты теоретических расчетов характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой при изменении концентрации легирования и толщины эпитаксиального слоя AlGaN. Полученные результаты демонстрируют возможности применения программы Silvaco TCAD ATLAS при разработке конструкций оптикоэлектронных приборов.