Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой

Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой

В докладе представлены результаты теоретических расчетов характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой при изменении концентрации легирования и толщины эпитаксиального слоя AlGaN. Полученные результаты демонстрируют возможности применения программы Silvaco TCAD ATLAS при разработке конс...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 77-80
Главный автор:	Шабанов, Генрих Александрович
Другие авторы:	Катренко, Владислав Дмитриевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	светодиоды квантовые ямы легирование экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149168

Похожие документы

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
по: Kopyev, Viktor V.

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Исследование вольт-фарадных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами GaInP/AlGaInP
по: Бессонов, Дмитрий Владимирович

Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Спад квантовой эффективности в структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
по: Олейник, Владимир Леонидович

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Diffusion of magnesium in LED structures with InGaN/GaN quantum wells at true growth temperatures 860-980°C of p-GaN
по: Romanov, I. S.

Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
по: Романов, Иван Сергеевич

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Копьев, Виктор Васильевич
Публикация: (2019)

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Светодиод из GaAs(Si) как квазисверхструктура туннельно связанных квантовых точек
по: Сидоров, Валерий Георгиевич

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)

Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN: диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5/
по: Задорожный, О. Ф. Олег Федорович
Публикация: (2023)