RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)

This paper analyzes the growth of Si on Si (100) substrate in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction method (RHEED) and studies its mechanisms.

Bibliographic Details
Published in:Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 128
Main Author: Dyukov, I. Y.
Other Authors: Burnashov, A. A.
Format: Book Chapter
Language:English
Subjects:
молекулярно-лучевая эпитаксия
суперструктуры
дифракция отраженных высокоэнергетических электронов
кремний
статьи в сборниках
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149275
LEADER 01522naa a2200301 c 4500
001 koha001149275
005 20241216121126.0
007 cr |
008 241212s2024 ru fs 100 0 eng d
035 |a koha001149275 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Dyukov, I. Y. 
245 1 0 |a RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)  |c I. Y. Dyukov, A. A. Burnashov 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 5 назв. 
520 3 |a This paper analyzes the growth of Si on Si (100) substrate in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction method (RHEED) and studies its mechanisms. 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a суперструктуры 
653 |a дифракция отраженных высокоэнергетических электронов 
653 |a кремний 
655 4 |a статьи в сборниках 
700 1 |a Burnashov, A. A. 
773 0 |t Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов  |d Томск, 2024  |g С. 128  |z 9785936297168  |w koha001147414 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149275 
908 |a статья 
999 |c 1149275  |d 1149275 

Similar Items