RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
This paper analyzes the growth of Si on Si (100) substrate in a wide temperature range by reflection high-energy electron diffraction method (RHEED) and studies its mechanisms.
| Опубликовано в: : | Двадцать первая Всероссийская конференция студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 13−17 мая 2024 г. : сборник трудов С. 128 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149275 |