Температурное поведение спектров плазменного отражения кристаллов (Bi2–хSbх)TE3 (0 < х < 1) в диапазоне 80–300 K
Наблюдаемое во всех кристаллах Bi₂₋ₓSbₓ (0 < х < 1) уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда ωр при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла ε∞. Анализ полученных экспериментальных данных позволя...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 8. С. 55-59 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149397 |
| Итог: | Наблюдаемое во всех кристаллах Bi₂₋ₓSbₓ (0 < х < 1) уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда ωр при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла ε∞. Анализ полученных экспериментальных данных позволяет утверждать, что изменение ωр, электропроводности σ обусловлено и уменьшением отношения концентрации свободных носителей заряда к их эффективной массе: р/m (в 1.47 раза), практически совпадающим по величине с аномальным увеличением коэффициента Холла в температурном интервале от 80 до 300 К. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 6 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |