Температурное поведение спектров плазменного отражения кристаллов (Bi2–хSbх)TE3 (0 < х < 1) в диапазоне 80–300 K - Степанов, Николай Петрович (Известия высших учебных заведений. Физика)
Наблюдаемое во всех кристаллах Bi₂₋ₓSbₓ (0 < х < 1) уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда ωр при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла ε∞. Анализ полученных экспериментальных данных позволяет утверждать, что изменение ωр, электропроводности σ обусловлено и уменьшением отношения концентрации свободных носителей заряда к их эффективной массе: р/m (в 1.47 раза), практически совпадающим по величине с аномальным увеличением коэффициента Холла в температурном интервале от 80 до 300 К.