Температурное поведение спектров плазменного отражения кристаллов (Bi2–хSbх)TE3 (0 < х < 1) в диапазоне 80–300 K
Наблюдаемое во всех кристаллах Bi₂₋ₓSbₓ (0 < х < 1) уменьшение резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда ωр при увеличении температуры лишь частично может быть объяснено увеличением поляризационного фона кристалла ε∞. Анализ полученных экспериментальных данных позволя...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 8. С. 55-59 |
|---|---|
| Main Author: | Степанов, Николай Петрович |
| Other Authors: | Степанова, Лилия Эдуардовна, Лозовская, Анастасия Сергеевна |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149397 |
Similar Items
- Исследование электрофизических свойств пленок ITO
- Determination of the parameters of multi-carrier spectrum in CdHgTe. I. A review of mobility spectrum analysis methods
-
Мобильность зарядов в донорно-акцепторных соединениях на основе дифениламинов и дибензтиофендиоксидов в OLED структурах
by: Измайлова, Наталья Викторовна -
Захват и эмиссия носителей заряда квантовой ямой
by: Давыдов, Валерий Николаевич -
Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007)
