Влияние термических отжигов на структуру и свойства поверхности вольфрама, облученного низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов
Методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, измерения твердости и термодесорбции исследованы изменения морфологии поверхности, накопление гелия и механические свойства высокочистого вольфрама после облучения низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов и последующих от...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 8. С. 117-123 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149408 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, измерения твердости и термодесорбции исследованы изменения морфологии поверхности, накопление гелия и механические свойства высокочистого вольфрама после облучения низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов и последующих отжигах. Показано, что за счет действия напряжений в области торможения α-частиц гелий мигрирует на расстояния, значительно превышающие проективный пробег α-частиц, накапливается в кластерах из атомов гелия и гелий-вакансионных комплексах. В области страгглинга с высокой степенью пересыщения гелием формируются наполненные гелием пузырьки, проявляющиеся во вспучиваниях поверхности. Локальные поля напряжений, создаваемые гелиевыми и гелий-вакансионными кластерами в области за пробегом, приводят к упрочнению материала (увеличению твердости). Последующий отжиг до температуры 600 °С ведет к росту размеров блистеров на облученной поверхности и интенсивной десорбции гелия вследствие миграции подвижных комплексов из атомов гелия. С увеличением температуры отжигов от 600 до 1000 °С за счет испускания междоузельных атомов Не из неподвижных гелий-вакансионных комплексов полностью разрушается слой, соответствующий проективному пробегу α-частиц. При этом твердость вольфрама после отжига при 1000 °С восстанавливается до исходного значения. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 15 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |