Влияние термических отжигов на структуру и свойства поверхности вольфрама, облученного низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов

Методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, измерения твердости и термодесорбции исследованы изменения морфологии поверхности, накопление гелия и механические свойства высокочистого вольфрама после облучения низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов и последующих отжига...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 8. С. 117-123
Other Authors: Алдабергенова, Тамара Мустафаевна, Кислицин, Сергей Борисович, Ганеев, Гелий Закирович, Виелеба, Войцех
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149408
LEADER 04038nab a2200337 c 4500
001 koha001149408
005 20241220174002.0
007 cr |
008 241216|2018 ru s c rus d
035 |a koha001149408 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Влияние термических отжигов на структуру и свойства поверхности вольфрама, облученного низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов  |c Т. М. Алдабергенова, С. Б. Кислицин, Г. З. Ганеев, В. Виелеба 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 15 назв. 
520 3 |a Методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, измерения твердости и термодесорбции исследованы изменения морфологии поверхности, накопление гелия и механические свойства высокочистого вольфрама после облучения низкоэнергетическими α-частицами до высоких флюенсов и последующих отжигах. Показано, что за счет действия напряжений в области торможения α-частиц гелий мигрирует на расстояния, значительно превышающие проективный пробег α-частиц, накапливается в кластерах из атомов гелия и гелий-вакансионных комплексах. В области страгглинга с высокой степенью пересыщения гелием формируются наполненные гелием пузырьки, проявляющиеся во вспучиваниях поверхности. Локальные поля напряжений, создаваемые гелиевыми и гелий-вакансионными кластерами в области за пробегом, приводят к упрочнению материала (увеличению твердости). Последующий отжиг до температуры 600 °С ведет к росту размеров блистеров на облученной поверхности и интенсивной десорбции гелия вследствие миграции подвижных комплексов из атомов гелия. С увеличением температуры отжигов от 600 до 1000 °С за счет испускания междоузельных атомов Не из неподвижных гелий-вакансионных комплексов полностью разрушается слой, соответствующий проективному пробегу α-частиц. При этом твердость вольфрама после отжига при 1000 °С восстанавливается до исходного значения. 
653 |a блистеринг 
653 |a вольфрам 
653 |a облучение α-частицами 
653 |a твердость 
653 |a термодесорбция 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Алдабергенова, Тамара Мустафаевна 
700 1 |a Кислицин, Сергей Борисович 
700 1 |a Ганеев, Гелий Закирович 
700 1 |a Виелеба, Войцех 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2018  |g Т. 61, № 8. С. 117-123  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001149408 
908 |a статья 
999 |c 1149408  |d 1149408