Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм
Проведена оценка коэффициента усиления, полосы пропускания и эффективности поглощения лавинных фотодиодов Ge/Si с наноотверстиями для захвата фотонов с длиной волны 850 нм. Предложенная конструкция Ge/Si лавинного фотодиода с ловушками для фотонов позволяет добиться значительного увеличения усилен...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 2. С. 5-13 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151088 Перейти в каталог НБ ТГУ |