Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм

Похожие документы

• Dependence of Ge/Si avalanche photodiode performance on the thickness and doping concentration of the multiplication and absorption layers
• Зависимости коэффициента умножения и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе Ge/Si от степени легирования и толщины слоя умножения
  по: Диб, Хазем
• Разработка модели портативного сцинтилляционного детектора гамма-излучения на основе твердотельных микропиксельных лавинных фотодиодов
  по: Никишкин, Тимофей Геннадьевич
• Моделирование и оптимизация коэффициента усиления и полосы пропускания лавинного фотодиода на основе кремния и германия
  по: Диб, Хазем
• Современные проблемы волоконно-оптических линий связи: В 4 т./
  по: Кемельбеков, Бекен Жасымбаевич
  Публикация: (2001)