Электрические свойства структур металл - Pb0.75Sn0.25Te<Pb>

Электрические свойства структур металл - Pb0.75Sn0.25Te<Pb>

Выращены монокристаллы твердого раствора Pb 0.75Sn0.25Te с избытком свинца до 1.0 ат.%, созданы структуры металл - полупроводник на их основе и исследованы их контактные сопротивления rk в интервале 77-300 К. Выяснено, что rk определяется, в основном, донорным действием Pb в указанном кристалле, ди...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 6. С. 17-23
Главный автор:	Ахундова, Наиля Мубин гызы
Другие авторы:	Алиева, Тунзала Джавад гызы
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	монокристаллы структура металл-полупроводник контактное сопротивление примеси статьи в журналах
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151127 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Влияние термообработки на термоэлектрические свойства кристаллов твердого раствора Pb0.75Sn0.25Te со сверхстехиометричным свинцом
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Электрические свойства монокристаллов SnTe с избытком олова и структур SnTe - металл
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn1-xMnxTe (0 ≥ x ≥ 0.04)
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Контакты металл - полупроводник: Пер. с англ./
по: Родерик Эмвил Х.
Публикация: (1982)

Контакты металл-полупроводник: физика и модели
по: Божков, Владимир Григорьевич
Публикация: (2016)

Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике: /
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1987)

Исследование высокотемпературных сплавных контактов полупроводников с металлами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Кулиш, Ушер Меерович
Публикация: (1966)

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Исследование структуры металл-диэлектрик-полупроводник: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

AFM study of charging of the Au-n-GaAs contact
по: Shmargunov, A. V.

Switchable Schottky contacts: simultaneously enhanced output current and reduced leakage current

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Перенос электрического заряда и теплоты в кристаллах SnTe c различными концентрациями вакансий в подрешетке олова
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Physical mechanisms of the influence of γ-ray surface treatment on the characteristics of close AuNi/n-n+-GaN Schottky contacts

Self-propagating high-temperature synthesis of high-entropy ceramic composition (Hf0.25Ti0.25Cr0.25(FeV)0.25)N

A planar MESFET with double be implantation for CDMA application

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Исследование реактивно распыленных диэлектрических пленок в МДП-структурах: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук/
по: Шандра, З. А.
Публикация: (1972)

Электрофизические свойства квазиоднородных контактов Au-TiBx-GaAs

Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Phase composition and structural characteristics of Ce1-xFexO2-δ (0.25 ≤ x ≤ 0.75) mixed oxides and silver catalysts on the basis thereof
по: Bukalova, S. N.

Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах учебное пособие : [для студентов по направлениям "Химия", "Химия, физика и механика материалов", "Фундаментальная и прикладная химия", аспирантов, преподавателей химических вузов и факультетов]
по: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Публикация: (2015)

Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells

Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов GaAs/lr/Ni в условиях химической пассивации границ полупроводника и электрохимического осаждения металлов
по: Фомина, Лариса Валерьевна

Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021
Публикация: (1969)

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb

Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV методом атомно-силовой микроскопии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Новиков, Вадим Александрович
Публикация: (2010)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2009)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2011)

Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Шмаргунов, Антон Владимирович
Публикация: (2015)

Физика полупроводниковых приборов в 2 кн.
по: Зи, С. М.
Публикация: (1984)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие : [для вузов по направлению подготовки 210100 "Электроника и микроэлектроника"]
по: Старосельский, Виктор Игоревич 1938-2007
Публикация: (2014)

Электронные процессы в тонкопленочных структурах металл-диэлектрик-металл: монография/
по: Воробьев, Г. А. Григорий Абрамович, et al.
Публикация: (2007)

Варизонные полупроводники и гетероструктуры [учебное пособие по направлению "Техническая физика"]
по: Ильин, Владимир Иванович
Публикация: (2000)

Межфазные явления в системах. Многокомпонентное соединение - раствор, оксид, металл Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. ДСП
по: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Публикация: (1999)

Способ подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики выпрямляющих контактов с арсенидом галлия N-типа покрытий никеля, иридия, иридий-никеля, иридий-золота
по: Батенков, Владислав Александрович