Ab initio и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств GaInS3

Ab initio и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств GaInS3

Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности. Определены действительные и мнимые части диэлектрической функции в интервале энергий 0.7-6.5 эВ. Из рассчитанного электро...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 6. С. 57-62
Other Authors: Джахангирли, Закир Агасолтан оглы, Амирасланов, Имамаддин Раджабали оглы, Рахимли, Айсел Бахтияр кызы, Сеидов, Рамиз Гекджа, Байрамова, Тунзале Октай кызы
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
теория функционала плотности
спектральная эллипсометрия
зонная структура
диэлектрическая функция
парциальная плотность электронных состояний
статьи в журналах
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151135
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности. Определены действительные и мнимые части диэлектрической функции в интервале энергий 0.7-6.5 эВ. Из рассчитанного электронного спектра и плотности энергетических состояний оценена ширина запрещенной зоны. На основе анализа проецированных на атомы парциальных плотностей электронных состояний определен характер химической связи в GaInS3.
Bibliography:Библиогр.: 16 назв.
ISSN:0021-3411
Access:Ограниченный доступ

Similar Items