Ab initio и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств GaInS3

Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности. Определены действительные и мнимые части диэлектрической функции в интервале энергий 0.7-6.5 эВ. Из рассчитанного электро...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 6. С. 57-62
Other Authors: Джахангирли, Закир Агасолтан оглы, Амирасланов, Имамаддин Раджабали оглы, Рахимли, Айсел Бахтияр кызы, Сеидов, Рамиз Гекджа, Байрамова, Тунзале Октай кызы
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151135
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03056nab a2200409 c 4500
001 koha001151135
005 20250205165644.0
007 cr |
008 250131|2024 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/67/6/9  |2 doi 
035 |a koha001151135 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Ab initio и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств GaInS3  |c З. А. Джахангирли, И. Р. Амирасланов, А. Б. Рахимли [и др.] 
246 1 1 |a Ab initio and experimental study of electronic and optical properties of GaInS3 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 16 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Электронные и оптические свойства GaInS3 исследованы экспериментально методом спектральной эллипсометрии, а также теоретически с использованием теории функционала плотности. Определены действительные и мнимые части диэлектрической функции в интервале энергий 0.7-6.5 эВ. Из рассчитанного электронного спектра и плотности энергетических состояний оценена ширина запрещенной зоны. На основе анализа проецированных на атомы парциальных плотностей электронных состояний определен характер химической связи в GaInS3. 
653 |a теория функционала плотности 
653 |a спектральная эллипсометрия 
653 |a зонная структура 
653 |a диэлектрическая функция 
653 |a парциальная плотность электронных состояний 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Джахангирли, Закир Агасолтан оглы  |9 957950 
700 1 |a Амирасланов, Имамаддин Раджабали оглы  |9 984825 
700 1 |a Рахимли, Айсел Бахтияр кызы  |9 984826 
700 1 |a Сеидов, Рамиз Гекджа  |9 984827 
700 1 |a Байрамова, Тунзале Октай кызы  |9 984828 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2024  |g Т. 67, № 6. С. 57-62  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151135 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1151135 
908 |a статья 
999 |c 1151135  |d 1151135 
039 |b 100