Оценка влияния внеполевой засветки на функционирование оптико-электронных систем на основе полупроводниковых матричных фотоприемников инфракрасного диапазона
Проведена оценка влияния внеполевой засветки на характеристики оптоэлектронных систем, использующих матричные полупроводниковые фотоприемные устройства, на основе известных их моделей....
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 12. С. 16-21 |
|---|---|
| Main Author: | Конради, Дмитрий Сергеевич |
| Other Authors: | Средин, Виктор Геннадиевич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151241 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Определение параметров индия при гибридизации матричных фотоприемных устройств на основе InAs, GaAs/AlGaAs, GaAs/HgCdTe
by: Ефимов, Валерий Михайлович -
Влияние интенсивности темновой засветки на характеристики поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы раздела фоторефрактивного и нелинейного керровского кристаллов
by: Савотченко, Сергей Евгеньевич -
Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона [монография]
Published: (2021) -
Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Published: (2001) -
Шумовые свойства фоторезисторов на основе селенида кадмия при фоновой засветке
by: Давыдов, Валерий Николаевич
