Изучение спектральных зависимостей показателя поглощения слоев GeSn и GeSiSn различного состава, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены две серии образцов, полученных на наноструктурированной фасетированной поверхности и н...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 12. С. 22-30 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151242 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены две серии образцов, полученных на наноструктурированной фасетированной поверхности и на поверхности Si(100). Установлено, что на телекоммуникационной длине волны 1.55 м км величина показателя поглощения GeSiSn превышает значение для Ge более чем в 4 раза. Определены значения ширины запрещенной зоны GeSiSn исследуемых составов. Получено хорошее количественное согласие расчетных и экспериментальных значений ширины запрещенной зоны и качественное согласие спектров оптического поглощения. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 23 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Access: | Ограниченный доступ |
