Изучение спектральных зависимостей показателя поглощения слоев GeSn и GeSiSn различного состава, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены две серии образцов, полученных на наноструктурированной фасетированной поверхности и н...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 67, № 12. С. 22-30
Other Authors: Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Скворцов, Илья Владимирович, Машанов, Владимир Иванович, Перевалов, Тимофей Викторович, Исламов, Дамир Ревинирович, Азаров, Иван Алексеевич, Ярошевич, Александр Сергеевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151242
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03644nab a2200421 c 4500
001 koha001151242
005 20250206131029.0
007 cr |
008 250203|2024 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/67/12/3  |2 doi 
035 |a koha001151242 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Изучение спектральных зависимостей показателя поглощения слоев GeSn и GeSiSn различного состава, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  |c В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов [и др.] 
246 1 1 |a Study of spectral dependences of the absorption coefficient of GeSn and GeSiSn layers of various compositions obtained by molecular beam epitaxy 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 23 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены две серии образцов, полученных на наноструктурированной фасетированной поверхности и на поверхности Si(100). Установлено, что на телекоммуникационной длине волны 1.55 м км величина показателя поглощения GeSiSn превышает значение для Ge более чем в 4 раза. Определены значения ширины запрещенной зоны GeSiSn исследуемых составов. Получено хорошее количественное согласие расчетных и экспериментальных значений ширины запрещенной зоны и качественное согласие спектров оптического поглощения. 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a теория функционала плотности 
653 |a показатель поглощения 
653 |a наноструктурированные фасетированные поверхности 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Тимофеев, Вячеслав Алексеевич  |9 395169 
700 1 |a Скворцов, Илья Владимирович  |9 762879 
700 1 |a Машанов, Владимир Иванович  |9 502072 
700 1 |a Перевалов, Тимофей Викторович  |9 984913 
700 1 |a Исламов, Дамир Ревинирович  |9 984914 
700 1 |a Азаров, Иван Алексеевич  |9 502073 
700 1 |a Ярошевич, Александр Сергеевич  |9 984915 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2024  |g Т. 67, № 12. С. 22-30  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151242 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1151242 
908 |a статья 
999 |c 1151242  |d 1151242 
039 |b 100