Изучение спектральных зависимостей показателя поглощения слоев GeSn и GeSiSn различного состава, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии - Тимофеев, Вячеслав Алексеевич; Скворцов, Илья Владимирович; Машанов, Владимир Иванович; Перевалов, Тимофей Викторович; Исламов, Дамир Ревинирович; Азаров, Иван Алексеевич; Ярошевич, Александр Сергеевич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Проводятся исследования показателя поглощения в ближнем ИК-диапазоне слоев GeSn и GeSiSn различных составов с содержанием кремния до 63% и олова до 14%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучены две серии образцов, полученных на наноструктурированной фасетированной поверхности и на поверхности Si(100). Установлено, что на телекоммуникационной длине волны 1.55 м км величина показателя поглощения GeSiSn превышает значение для Ge более чем в 4 раза. Определены значения ширины запрещенной зоны GeSiSn исследуемых составов. Получено хорошее количественное согласие расчетных и экспериментальных значений ширины запрещенной зоны и качественное согласие спектров оптического поглощения.