Яковлев, Н. Н., & Алмаев, А. В. Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3. Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г., koha001149282(Томск, 2024), .
Chicago-стиль цитированияЯковлев, Никита Николаевич, and Алексей Викторович Алмаев. "Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3." Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. koha001149282, no. Томск, 2024 ().
MLA-цитированиеЯковлев, Никита Николаевич, and Алексей Викторович Алмаев. "Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3." Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г., vol. koha001149282, no. Томск, 2024, .