Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Диоды с барьером Шоттки на осн...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3

Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 67
Главный автор: Яковлев, Никита Николаевич
Другие авторы: Алмаев, Алексей Викторович
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
бета-оксид галлия
Шоттки диоды
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151547
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись
Описание
Библиография:Библиогр.: 4 назв.
ISBN:9785907890183

Похожие документы

  • Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
    по: Цымбалов, Александр Вячеславович
  • Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем
  • Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3
  • Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки
  • Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
    по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
    Публикация: (1974)
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...