Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического сапфира
| Опубликовано в: : | Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 69 |
|---|---|
| Другие авторы: | Чаштанов, Кирилл Александрович, Тяжев, Антон Владимирович, Щербаков, Иван Дмитриевич, Толбанов, Олег Петрович, Зарубин, Андрей Николаевич, Шемерянкина, Анастасия Владимировна, Скакунов, Максим Сергеевич, Винник, Александр Евгеньевич, Шаймерденова, Лейла Калитаевна |
| Формат: | Статья в сборнике |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151549 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
- Исследование фоточувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе карбида кремния и монокристаллического сапфира
- Экспериментальное исследование чувствительности к рентгеновскому излучению сенсоров на основе монокристаллического карбида кремния
- Повышение чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров
- Повышение чувствительности и селективности полупроводниковых газовых сенсоров
- Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев
