Цымбалов, А. В., Алмаев, А. В., & Яковлев, Н. Н. Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3. Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г., koha001149282(Томск, 2024), .
Chicago Style (17th ed.) CitationЦымбалов, Александр Вячеславович, Алексей Викторович Алмаев, and Никита Николаевич Яковлев. "Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3." Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. koha001149282, no. Томск, 2024 ().
MLA (8th ed.) CitationЦымбалов, Александр Вячеславович, et al. "Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3." Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г., vol. koha001149282, no. Томск, 2024, .