Пропуск в контексте
  • Язык
    • English
    • Русский

Расширенный поиск
  • Фотоэлектрические свойства ди...
  • Цитировать
  • Печать
  • Запись для экспорта
    • Экспорт в RefWorks
    • Экспорт в EndNoteWeb
    • Экспорт в EndNote
  • Permanent link
Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3

Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 68
Главный автор: Цымбалов, Александр Вячеславович
Другие авторы: Алмаев, Алексей Викторович, Яковлев, Никита Николаевич
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
Шоттки диоды
фотоэлектрические свойства
оксид галлия
экспериментальные исследования
статьи в сборниках
Online-ссылка:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151552
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Фонды
  • Описание
  • Похожие документы
  • Marc-запись
Описание
Библиография:Библиогр.: 2 назв.
ISBN:9785907890183

Похожие документы

  • Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
    по: Яковлев, Никита Николаевич
  • Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
    по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
    Публикация: (1974)
  • Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures
  • Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем
  • Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
    по: Литвинюк, О. В.
|   Расширенный поиск   |   Советы для поиска   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Загрузка...