Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3

Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г. С. 68
Главный автор:	Цымбалов, Александр Вячеславович
Другие авторы:	Алмаев, Алексей Викторович, Яковлев, Никита Николаевич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	Шоттки диоды фотоэлектрические свойства оксид галлия экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001151552 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
по: Яковлев, Никита Николаевич

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение: научное издание/
по: Стриха, В. И. Виталий Илларионович, et al.
Публикация: (1974)

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия
по: Литвинюк, О. В.

Photoelectrical characteristics of GaxOy-GaAs-structures

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Вяткин, Анатолий Петрович

Диоды Шоттки на основе GaAs с туннельнопрозрачным слоем Ga2Se3

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография]
по: Филонов, Николай Григорьевич
Публикация: (2018)

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе
по: Егорова, Ирина Максимовна

Диоды Шоттки на гетероструктурах с двумерным электронным газом
по: Ющенко, Алексей Юрьевич

Свойства структур Ga2O3-GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Цымбалов, Александр Вячеславович
Публикация: (2024)

Solar-blind ultraviolet detectors based on high-quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity

Предельное положение уровня Ферми в сильно облученных кристаллах нитрида галлия

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Down-converters with doped solid solution crystals GaSe1-xSx for THz spectrometry

Влияние типа подложки на фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/GaAs

К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs
по: Филонов, Николай Григорьевич

Ion implantation in β-Ga2O3: Physics and technology

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Детектор терагерцового диапазона на диоде Шоттки
по: Пидотова, Диана Андреевна

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода

Hydrogen sensors based on Pt/α-Ga2O3:Sn/Pt structures

Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
по: Будницкий, Давыд Львович

Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe)

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
по: Захаров, Д. Н.

The radiation defects introduction in InP shottky diodes
по: Peshev, V. V.

Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов

Физические основы работы лавинного S-диода

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Васильев, О. В.

Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD

Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition