Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок

Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок

На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм)...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 1. С. 90-99
Other Authors: Кузнецов, Владимир Сергеевич, Зиновьев, Михаил Михайлович, Юдин, Николай Николаевич, Подзывалов, Сергей Николаевич, Слюнько, Елена Сергеевна, Лысенко, Алексей Борисович, Кальсин, Андрей Юрьевич, Баалбаки, Хуссейн Алиевич, Грибенюков, Александр Иванович, Габдрахманов, Акмаль Шамилович, Кулеш, Максим Матвеевич, Антипов, Олег Леонидович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
ионная очистка
полупроводниковые материалы
системы вакуумного осаждения
статьи в журналах
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153863
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм) и избыточной (12-25 мкм) компенсации заряда от источника ионной очистки. Из вольт-амперных характеристик найден коэффициент компенсации, при котором не наблюдается пробоев на поверхности монокристалла Ge. Установлено, что при оптимальных параметрах нагрев подложки не влияет на результат ионной очистки.
Bibliography:Библиогр.: 7 назв.
ISSN:0021-3411

Similar Items