Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок

На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм)...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 1. С. 90-99
Other Authors: Кузнецов, Владимир Сергеевич, Зиновьев, Михаил Михайлович, Юдин, Николай Николаевич, Подзывалов, Сергей Николаевич, Слюнько, Елена Сергеевна, Лысенко, Алексей Борисович, Кальсин, Андрей Юрьевич, Баалбаки, Хуссейн Алиевич, Грибенюков, Александр Иванович, Габдрахманов, Акмаль Шамилович, Кулеш, Максим Матвеевич, Антипов, Олег Леонидович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153863
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03481nab a2200457 c 4500
001 koha001153863
005 20250320154038.0
007 cr |
008 250318|2025 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/68/1/10  |2 doi 
035 |a koha001153863 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок  |c В. С. Кузнецов, М. М. Зиновьев, Н. Н. Юдин [и др.] 
246 1 1 |a Ionic cleaning of Ge substrate surfaces before ion beam spoiling of thin films 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 7 назв. 
520 3 |a На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм) и избыточной (12-25 мкм) компенсации заряда от источника ионной очистки. Из вольт-амперных характеристик найден коэффициент компенсации, при котором не наблюдается пробоев на поверхности монокристалла Ge. Установлено, что при оптимальных параметрах нагрев подложки не влияет на результат ионной очистки. 
653 |a ионная очистка 
653 |a полупроводниковые материалы 
653 |a системы вакуумного осаждения 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Кузнецов, Владимир Сергеевич  |9 95144 
700 1 |a Зиновьев, Михаил Михайлович  |9 99804 
700 1 |a Юдин, Николай Николаевич  |9 350581 
700 1 |a Подзывалов, Сергей Николаевич  |9 567774 
700 1 |a Слюнько, Елена Сергеевна  |9 766931 
700 1 |a Лысенко, Алексей Борисович  |9 892825 
700 1 |a Кальсин, Андрей Юрьевич  |9 899214 
700 1 |a Баалбаки, Хуссейн Алиевич  |9 982530 
700 1 |a Грибенюков, Александр Иванович  |9 379319 
700 1 |a Габдрахманов, Акмаль Шамилович  |9 972393 
700 1 |a Кулеш, Максим Матвеевич  |9 766925 
700 1 |a Антипов, Олег Леонидович  |9 283094 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2025  |g Т. 68, № 1. С. 90-99  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153863 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1153863 
908 |a статья 
999 |c 1153863  |d 1153863 
039 |b 100