Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок

На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм)...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 1. С. 90-99
Другие авторы: Кузнецов, Владимир Сергеевич, Зиновьев, Михаил Михайлович, Юдин, Николай Николаевич, Подзывалов, Сергей Николаевич, Слюнько, Елена Сергеевна, Лысенко, Алексей Борисович, Кальсин, Андрей Юрьевич, Баалбаки, Хуссейн Алиевич, Грибенюков, Александр Иванович, Габдрахманов, Акмаль Шамилович, Кулеш, Максим Матвеевич, Антипов, Олег Леонидович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153863
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы