Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок
На базе вакуумно-напылительной установки Аспира-200 определены оптимальные параметры ионной очистки для обработки поверхности полупроводниковых материалов на примере монокристалла Ge. Определены характерные размеры кратеров пробоев на полупроводниковой поверхности при недостаточной (0.8-1.8 мкм)...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 1. С. 90-99 |
|---|---|
| Другие авторы: | Кузнецов, Владимир Сергеевич, Зиновьев, Михаил Михайлович, Юдин, Николай Николаевич, Подзывалов, Сергей Николаевич, Слюнько, Елена Сергеевна, Лысенко, Алексей Борисович, Кальсин, Андрей Юрьевич, Баалбаки, Хуссейн Алиевич, Грибенюков, Александр Иванович, Габдрахманов, Акмаль Шамилович, Кулеш, Максим Матвеевич, Антипов, Олег Леонидович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001153863 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Ионная хроматография: пер. с англ./
по: Фритц, Д., et al.
Публикация: (1984) -
Ионная теория возбуждения
по: Лазарев, Петр Петрович (1878-1942)
Публикация: (1923) - Ионная имплантация алмаза
-
Физико-технологические основы создания градиентно-слоистых поверхностей многокомпонентного состава совмещением методов ионно-диффузионного насыщения, магнетронного и вакуумно-дугового осаждения
по: Савостиков, Виктор Михайлович -
Технология тонких пленок: справочник: в 2-х т./
Публикация: (1977)
