Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb
В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 22-31 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 04731nab a2200409 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001155240 | ||
| 005 | 20250414125231.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 250409|2025 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.17223/00213411/68/3/3 |2 doi | |
| 035 | |a koha001155240 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb |c И. О. Шолыгин, Д. В. Фомин, Н. Г. Галкин [и др.] |
| 246 | 1 | 1 | |a Formation and properties of Al/Mg2Si/Si/Au-Sb photodiode structures |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 20 назв. | ||
| 506 | |a Ограниченный доступ | ||
| 520 | 3 | |a В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического Mg2Si подтверждено данными спектроскопии комбинационного рассеяния света. По спектрам пропускания и отражения, полученным методом оптической спектроскопии, был рассчитан спектр коэффициента поглощения, что позволило установить ширину непрямой запрещенной зоны в пленках Mg2Si (0.80-0.86 эВ) и определить первый прямой межзонный переход с энергией 1.09-1.10 эВ, согласующийся с литературными данными. На основе сформированных пленок были изготовлены фотодиодные структуры, для которых сняты темновые вольт-амперные характеристики (ВАХ) и спектры фотоотклика при различных напряжениях на гетероструктуре Al/Mg2Si/Si/Au−Sb. Анализ ВАХ и спектров фотоотклика показал, что характеристики сильно отличаются от таковых для стандартного кремниевого p-n-перехода. Установлена зависимость спектров фотоотклика от знака и величины приложенного к контактам потенциала. Основной особенностью является узкая спектральная характеристика фотоотклика при 1050 нм, отсутствующая у кремниевого фотодиода. Анализ данных показал, что при высокотемпературном отжиге кремния в нем формируется двойной p-n-переход с запорным слоем, который вместе с гетеропереходом Mg2Si/Si-p и определяет уникальные свойства созданной гетероструктуры. | |
| 653 | |a силицид магния | ||
| 653 | |a фотодиодные гетероструктуры | ||
| 653 | |a локальный фотоотклик | ||
| 653 | |a экспериментальные исследования | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах | |
| 700 | 1 | |a Шолыгин, Илья Олегович |9 988018 | |
| 700 | 1 | |a Фомин, Дмитрий Владимирович |9 500825 | |
| 700 | 1 | |a Галкин, Николай Геннадьевич |9 988019 | |
| 700 | 1 | |a Галкин, Константин Николаевич |9 988020 | |
| 700 | 1 | |a Чернев, Игорь Михайлович |9 988021 | |
| 700 | 1 | |a Поляков, Алексей Вячеславович |9 872477 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2025 |g Т. 68, № 3. С. 22-31 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1155240 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1155240 |d 1155240 | ||
| 039 | |b 100 | ||