Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb
В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 22-31 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240 Перейти в каталог НБ ТГУ |