Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb

В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 22-31
Другие авторы: Шолыгин, Илья Олегович, Фомин, Дмитрий Владимирович, Галкин, Николай Геннадьевич, Галкин, Константин Николаевич, Чернев, Игорь Михайлович, Поляков, Алексей Вячеславович
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы