Формирование и свойства фотодиодных структур Al/Mg2Si/Si/Au-Sb
В условиях сверхвысокого вакуума на подложке Si (111) методом послойного соосаждения пар слоев Mg и Si при температуре 250 °С на предварительно сформированный аморфный буферный слой кремния выращены толстые поликристаллические пленки Mg2Si c толщинами 496 и 692 нм. Формирование кристаллического...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 22-31 |
|---|---|
| Другие авторы: | Шолыгин, Илья Олегович, Фомин, Дмитрий Владимирович, Галкин, Николай Геннадьевич, Галкин, Константин Николаевич, Чернев, Игорь Михайлович, Поляков, Алексей Вячеславович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155240 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Электрофизические характеристики GeSi/Si гетеропереходов
по: Несмелов, Сергей Николаевич -
Модели для определения набора реализуемых параметров преобразователей оптической информации и принципы выделения сигнала при разработке элементов систем управления на основе интегральных МДП-фотодиодных матриц.05.13.05-Элемен.и устр.вычис.техн.и сис.упр.: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. На правах рукописи/
по: Гуляев Павел Юрьевич
Публикация: (1983) -
Electronic structure and mechanical properties of Ti5Si3
по: Chumakova, Lora S. - Interaction of oxygen with the stable Ti5Si3 surface
-
Electronic structure and mechanical properties of Ti5Si3
по: Chumakova, Lora S.
