Новые двумерные графеноподобные материалы и гетероструктуры

Новые двумерные графеноподобные материалы и гетероструктуры

Успехи в синтезе двумерных графеноподобных материалов - трансграфенов - стимулируют интерес ученых к поиску новых элементов периодической системы, имеющих двумерные аллотропные модификации. Это привело к успешному получению в последние годы таких новых одноэлементных 2D-материалов, как бериллен (Be...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 3. С. 5-15
Другие авторы:	Лозовой, Кирилл Александрович, Дирко, Владимир Владиславович, Коханенко, Андрей Павлович, Кукенов, Олжас Игоревич, Плотников, Никита Владимирович, Акименко, Наталья Юрьевна, Войцеховский, Александр Васильевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	2D-кристаллы молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктуры статьи в журналах
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001155258 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ./
Публикация: (1989)

Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза

Двумерные материалы на основе элементов группы IIIA: развитие эпитаксиальных методов синтеза

Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках

МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов
по: Журавлев, Константин Сергеевич

Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дирко, Владимир Владиславович

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ
по: Пчеляков, Олег Петрович

Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития
по: Пчеляков, Олег Петрович

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
по: Lozovoy, Kirill A.

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100)
по: Турапин, Алексей Михайлович

Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors

Начальные стадии роста и механизм образования переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs
по: Субач, Сергей Владимирович

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры
Публикация: (1989)

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices

Interaction between islands in kinetic models of epitaxial growth of quantum dots

Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1-xCdхTe heterostructures

Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства Методические указания
Публикация: (1998)

Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"
Публикация: (1999)

Влияние элементов состава в подрешетке III группы на встраивание мышьяка и фосфора при МЛЭ твердых растворов (AIII)PxAs1-x

Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы

Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs с тунельно-тонкими барьерами AlAs
по: Володин, Владимир Алексеевич

Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si

Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition

Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy

Elastically stressed pseudomorphic SiSn island array formation with a pedestal on the Si(1 0 0) substrate using Sn as a growth catalyst

Двумерные магнитные изоляторы и топологические гетероструктуры на их основе
по: Еремеев, Сергей Владимирович

Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства методические указания
Публикация: (2001)