Влияние температуры на напряжение переключения лавинных S-диодов
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного S-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры может приводить к снижению напряжения переключения при высокой частоте коммутации (500 kHz). Для анал...
| Published in: | Письма в журнал технической физики Т. 51, № 4. С. 23-26 |
|---|---|
| Other Authors: | Прудаев, Илья Анатольевич, Копьев, Виктор Васильевич, Олейник, Владимир Леонидович, Скакунов, Максим Сергеевич, Сотникова, Анна Сергеевна, Гущин, Сергей Михайлович, Земляков, Валерий Евгеньевич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001156547 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
by: Верхолетов, Максим Георгиевич
Published: (2022) -
Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
by: Верхолетов, Максим Георгиевич -
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Прудаев, Илья Анатольевич
Published: (2009) -
Расчет режимов полупроводниковых диодов в умножителях частоты/
by: Яковенко, В. А. Валерий Андреевич, et al.
Published: (1980) -
Ga2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники
by: Алмаев, Алексей Викторович
