Влияние температуры на напряжение переключения лавинных S-диодов

Влияние температуры на напряжение переключения лавинных S-диодов

Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного S-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры может приводить к снижению напряжения переключения при высокой частоте коммутации (500 kHz). Для анал...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Письма в журнал технической физики Т. 51, № 4. С. 23-26
Другие авторы:	Прудаев, Илья Анатольевич, Копьев, Виктор Васильевич, Олейник, Владимир Леонидович, Скакунов, Максим Сергеевич, Сотникова, Анна Сергеевна, Гущин, Сергей Михайлович, Земляков, Валерий Евгеньевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	пробой лавинный донорные центры глубокие арсенид галлия силовая электроника импульсная техника статьи в журналах
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001156547 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Верхолетов, Максим Георгиевич
Публикация: (2022)

Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
по: Верхолетов, Максим Георгиевич

Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Прудаев, Илья Анатольевич
Публикация: (2009)

Расчет режимов полупроводниковых диодов в умножителях частоты/
по: Яковенко, В. А. Валерий Андреевич, et al.
Публикация: (1980)

Ga2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники
по: Алмаев, Алексей Викторович

Электронные средства и системы управления: материалы Международной научно-практической конференции (6-8 октября 2004 г.).
Публикация: (2004)

The mechanism of superfast switching of avalanche S-diodes based on GaAs doped with Cr and Fe

Напряжение пробоя меза-элементов и диодов Ганна
по: Юрченко, Василий Иванович

Avalanche delay and dynamic triggering in gaas-based s-diodes doped with deep level impurity

Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Публикация: (2022)

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов

Эффект переключения в обратно смещенных ???-v-n-структурах на основе GaAs<Fe>
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
по: Новиков, Вадим Александрович

Естественное старение генераторных диодов Ганна
по: Шаповал, Леонид Григорьевич

Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Окунев, В. Д.
Публикация: (1972)

Учебно-методическое пособие по твердотельной электронике (практические занятия)
Публикация: (2002)

Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
по: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Публикация: (1978)

Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития
по: Пчеляков, Олег Петрович

Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
по: Гущин, Сергей Михайлович

Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05
по: Будницкий, Давыд Львович
Публикация: (1986)

Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs

Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия

Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5

Электротехника, электроника и импульсная техника: Учебник для вузов/
по: Морозов, А. Г. Алексей Георгиевич
Публикация: (1987)

Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя для K-, Kа-диапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной конструкции

Импульсная энергетика и электроника/
по: Месяц, Г. А. Геннадий Андреевич
Публикация: (2004)

Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия
по: Лисюк, Ю. В

Области применения конденсаторно-коммутаторных сборок
по: Кустова, Людмила Владимировна

Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с нем./
по: Шур, М. Михаил
Публикация: (1991)

Аномальная интенсивностная зависимость времени возгорания и затухания экситонной фотолюминесценции в высокочастотных слоях GaAs и прямозонных твердых растворов AlGaAs

Выращивание вискеров InAs и GaAs из паровой фазы

Исследование методом электронной Оже-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Пирогов, Виктор Алексеевич
Публикация: (1986)

Арсенид-галлиевые микроструктуры с высоким аспектным отношением, применение в ядерной технике (технология и применение)

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических полупроводников : 01.04.10
по: Пономарев, Иван Викторович
Публикация: (2011)

Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
по: Марков, Александр Владимирович физик

Optical and vibration properties of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311) AlAs surfaces

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Импульсная накачка полупроводникового лазера с драйвером на основе лавинного S-диода
по: Копьев, Виктор Васильевич