Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием
Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотод...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 4. С. 35-41 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157728 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Итог: | Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотодетекторов на их основе. Пленки Ga2O3 были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировые подложки с базовой ориентацией (0001). Пленки Ga2O3 характеризуются высокой прозрачностью в длинноволновом УФ- (UVA) и видимом (VIS) диапазонах. Максимальные значения токовой монохроматической чувствительности и отношения сигнал/шум характерны при напряжении 100 В и составили 140.6 мА/Вт и 2·105 отн. ед. соответственно. Структуры обладают высоким быстродействием, времена отклика и восстановления составили 7.6 и 2.0 мс соответственно при напряжении 10 В. В работе показана связь между фоточувствительностью и быстродействием фотодетекторов. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 20 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |
| Доступ: | Ограниченный доступ |