Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием
Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотод...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 4. С. 35-41 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157728 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 03503nab a2200385 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | koha001157728 | ||
| 005 | 20250527155552.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 250521|2025 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.17223/00213411/68/4/5 |2 doi | |
| 035 | |a koha001157728 | ||
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием |c Д. А. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, О. И. Кукенов |
| 246 | 1 | 1 | |a UV-photodetectors based on GA2O3 films with high-speed performance |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 20 назв. | ||
| 506 | |a Ограниченный доступ | ||
| 520 | 3 | |a Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотодетекторов на их основе. Пленки Ga2O3 были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировые подложки с базовой ориентацией (0001). Пленки Ga2O3 характеризуются высокой прозрачностью в длинноволновом УФ- (UVA) и видимом (VIS) диапазонах. Максимальные значения токовой монохроматической чувствительности и отношения сигнал/шум характерны при напряжении 100 В и составили 140.6 мА/Вт и 2·105 отн. ед. соответственно. Структуры обладают высоким быстродействием, времена отклика и восстановления составили 7.6 и 2.0 мс соответственно при напряжении 10 В. В работе показана связь между фоточувствительностью и быстродействием фотодетекторов. | |
| 653 | |a фотодетекторы | ||
| 653 | |a УФ-излучение | ||
| 653 | |a оксид галлия | ||
| 653 | |a быстродействие | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах | |
| 700 | 1 | |a Алмаев, Дмитрий Александрович |9 855719 | |
| 700 | 1 | |a Цымбалов, Александр Вячеславович |9 502214 | |
| 700 | 1 | |a Копьев, Виктор Васильевич |9 92396 | |
| 700 | 1 | |a Кукенов, Олжас Игоревич |9 564215 | |
| 773 | 0 | |t Известия высших учебных заведений. Физика |d 2025 |g Т. 68, № 4. С. 35-41 |x 0021-3411 |w 0026-80960 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157728 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1157728 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 1157728 |d 1157728 | ||
| 039 | |b 100 | ||