Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием - Алмаев, Дмитрий Александрович; Цымбалов, Александр Вячеславович; Копьев, Виктор Васильевич; Кукенов, Олжас Игоревич (Известия высших учебных заведений. Физика)
Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотодетекторов на их основе. Пленки Ga2O3 были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировые подложки с базовой ориентацией (0001). Пленки Ga2O3 характеризуются высокой прозрачностью в длинноволновом УФ- (UVA) и видимом (VIS) диапазонах. Максимальные значения токовой монохроматической чувствительности и отношения сигнал/шум характерны при напряжении 100 В и составили 140.6 мА/Вт и 2·105 отн. ед. соответственно. Структуры обладают высоким быстродействием, времена отклика и восстановления составили 7.6 и 2.0 мс соответственно при напряжении 10 В. В работе показана связь между фоточувствительностью и быстродействием фотодетекторов.