Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием

Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием

Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотод...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 4. С. 35-41
Другие авторы:	Алмаев, Дмитрий Александрович, Цымбалов, Александр Вячеславович, Копьев, Виктор Васильевич, Кукенов, Олжас Игоревич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	фотодетекторы УФ-излучение оксид галлия быстродействие статьи в журналах
Online-ссылка:	https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157728 Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Солнечно-слепые детекторы УФ-диапазона
по: Цымбалов, Александр Вячеславович

Электрофизические свойства структур Ga2O3/GaAs
по: Киселева, Ольга Сергеевна

Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шоттки на основе α-Ga2O3

Solar-blind ultraviolet detectors based on high-quality HVPE α-Ga2O3 films with giant responsivity

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Transmission spectra and generation of terahertz pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe and GaSe:S structures

Influence of electrodes on the parameters of solar-blind detectors of UV radiation

Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures

Свойства структур Ga2O3-GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Исследование влияния Fe+ на чувствительность пленок α-Ga2O3 И ε-Ga2O3 к H2
по: Плотников, Никита Владимирович

Исследование электрических свойств пленок Ga2O3 и Cr2O3 со структурой корунда и гетероструктуры на их основе
по: Алмаев, Дмитрий Александрович

Ion implantation in β-Ga2O3: Physics and technology

Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe и GaSe:S

Изучение спектрально-люминесцентными методами фотолиза фенола под действием УФ излучения
по: Сультимова, Наталья Борисовна

Исследование влияния УФ-излучения на разложение 4-хлор-2-метилфеноксиуксусной кислоты

Исследование электрических характеристик GaAs-Ga2O3-структур

Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения

Эксилампы - эффективные источники спонтанного УФ- и ВУФ-излучения
по: Ломаев, Михаил Иванович

Влияние УФ-излучения на спектральные свойства 2,6-ди(гидроксиметил)-4-метилфенола
по: Федорова, Анастасия Андреевна

Влияние узкополосного УФ-излучения эксиплексной лампы на функционализацию бактериофага MS2

Физико-химические и электрофизические свойства тонких пленок β-Ga2O3:Zn, полученных методом PECVD

Диоды с барьером Шоттки на основе Β-GA2O3
по: Яковлев, Никита Николаевич

Ga2O3 для приборов силовой и сенсорной электроники
по: Алмаев, Алексей Викторович

Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пленок оксида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Цымбалов, Александр Вячеславович
Публикация: (2024)

Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия

Исследование трансформации хлорамфеникола под действием УФ-излучения и электронного пучка

Luminescence of Ga2O3 crystals excited with a runaway electron beam

Влияние УФ-излучения на фотодеградацию 2,4-дихлорфеноксиуксусной кислоты в присутствии гуминовых веществ
по: Умаралиева, Тахминахон Рустамовна

Фотодетекторы на основе Si с квантовыми точками Ge для ближнего ИК-диапазона

Фотопроводимость алмаза IIa типа под воздействием мощного лазерного УФ излучения
по: Липатов, Евгений Игоревич

Изменение спектральных характеристик природного фенола под действием УФ-излучения
по: Вусович, Ольга Владимировна

Исследование возможностей термического напыления тонких слоев Ga2O3 и GaSe на подложки из сапфира и селенида галлия

Мониторинг потоков солнечного УФ излучения на поверхности Земли в г. Томске

Особенности фотодеградации 2,4-дихлорфеноксиуксусной кислоты в присутствии гуминовых кислот под действием УФ-излучения
по: Кудлацкая, Анастасия Андреевна

Hydrogen sensors based on Pt/α-Ga2O3:Sn/Pt structures

Связь продолжительности солнечного сияния и приходящего УФ-излучения
по: Косторная, Анжелика Андреевна

Свойства фотодетекторов на гетероструктурах Ga2O3/ZnGeP2
по: Подзывалов, Сергей Николаевич

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Петрова, Юлианна Сергеевна
Публикация: (2022)

Фотоэлектрические свойства диода с барьером Шоттки на основе Pt/(100) Β-GA2O3
по: Цымбалов, Александр Вячеславович

Спектроскопические исследования самосборки фрактальных нанообъектов в золь-гель-наносистемах под действием УФ-излучения