Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga2O3 с высоким быстродействием

Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga2O3 при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны λ = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga2O3 на фоточувствительность и быстродействие фотод...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 68, № 4. С. 35-41
Other Authors: Алмаев, Дмитрий Александрович, Цымбалов, Александр Вячеславович, Копьев, Виктор Васильевич, Кукенов, Олжас Игоревич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001157728
Перейти в каталог НБ ТГУ