Limiting pump intensity for sulfur-doped gallium selenide crystals
High optical quality undoped and sulfur-doped gallium selenide crystals were grown from melts by the modified vertical Bridgman method. Detailed study of the damage produced under femtosecond pulse exposure has shown that evaluation of the damage threshold by visual control is unfounded. Black matte...
| Опубликовано в: : | Laser physics letters Vol. 11, № 5. P. 055401 (1-32) |
|---|---|
| Другие авторы: | Guo, Jin, Li, Dian-Jun, Xie, Ji-Jiang, Zhang, Lai-Ming, Feng, Z.-S, Andreev, Yury M. 1946-, Kokh, Konstantin A., Lanskii, Grigory V., Potekaev, Aleksandr I. 1951-, Shaiduko, Anna V., Svetlichnyi, Valerii A. |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001159099 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
- Impact of fs and ns pulses on indium and sulfur doped gallium selenide crystals
- Dispersion properties of sulfur doped gallium selenide crystals studied by THz TDS
- Предельный порог накачки кристаллов GaSe фемтосекундными импульсами
- Алгоритм определения нелинейной восприимчивости легированных кристаллов GaSe в ТГц-диапазоне
- Легированные кристаллы GaSe: физические свойства и применение в устройствах прикладной спектроскопии
