Halogen adsorption at an As-stabilized β2-GaAs (001)-(2×4) surface

Halogen (F, Cl, Br, and I) adsorption at an As-stabilized GaAs (001) surface with the β2-(2 × 4) reconstruction is studied using the plane-wave projected-augmented wave method. The effect of halogens on the structural and electronic characteristics of the semiconductor surface is analyzed. The T2�...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Semiconductors Vol. 50, № 2. P. 171-179
Главный автор:	Bakulin, Alexander V.
Другие авторы:	Kulkova, Svetlana E.
Формат:	Статья в журнале
Язык:	English
Предметы:	галогены полупроводники статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000569122 Перейти в каталог НБ ТГУ